Pontos Fortes

Velocidade de leitura sequencial até 7.150 MB/s e escrita até 6.300 MB/s, praticamente atingindo o limite do PCIe 4.0 x4.​

Excelente desempenho em operações aleatórias: até 850.000 IOPS em leitura e 1.350.000 IOPS em escrita (4KB QD32), ideal para multitarefa e carregamento rápido de aplicações.​

Utiliza tecnologia Samsung V-NAND TLC 236 camadas, oferecendo alta durabilidade e eficiência energética.​

Cache Host Memory Buffer (HMB) para melhorar a velocidade, embora não tenha DRAM dedicada, reduzindo custos sem perder muito desempenho.​

Encriptação AES 256-bit e suporte a TCG Opal 2.0 para segurança dos dados.​

Garantia do fabricante de 5 anos e resistência a choque de até 1.500 G.

Características
Capacidade da drive SSD 1 TB
Fator de forma SSD M.2
Interface PCI Express 4.0
NVMe Sim
Versão NVMe 2.0
Tipo de memória V-NAND TLC
Componente para PC
Encriptação de hardware Sim
Codificação / segurança 256-bit AES
Tamanho do SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Velocidade de leitura 7150 MB/s
Velocidade de escrita 6300 MB/s
Leitura aleatória (4KB) 850000 IOPS
Escrita aleatória (4KB) 1350000 IOPS
Suporte TRIM Sim
MTBF 1500000 h
Pesos e dimensões
Largura 80,2 mm
Profundidade 2,38 mm
Altura 22,1 mm
Peso 9 g
Condições ambientais
Temperatura de funcionamento (T-T) 0 - 70 °C
Componente para PC
Interface PCI Express 4.0
Largura 80,2 mm
Fator de forma SSD M.2
Capacidade da drive SSD 1 TB
Tipo de memória V-NAND TLC
NVMe Sim
Encriptação de hardware Sim
Velocidade de escrita 6300 MB/s
Altura 80,2 mm
Codificação / segurança 256-bit AES
Velocidade de leitura 7150 MB/s
Profundidade 2,38 mm
Peso 9 g
Comprimento da embalagem 145 mm
Profundidade da embalagem 100 mm
Altura da embalagem 24 mm
Peso da embalagem 68 g
Temperatura de funcionamento (T-T) 0 - 70 °C
MTBF 1500000 h
Versão NVMe 2.0
Leitura aleatória (4KB) 850000 IOPS
Escrita aleatória (4KB) 1350000 IOPS
Compatível com S.M.A.R.T. Sim
Suporte TRIM Sim
Voltagem operativa 3,3 V
Choque operacional 1500 G
Consumo de energia (leitura) 4,3 W
Consumo de energia (escrita) 4,2 W
Consumo de energia (inativo) 0,06 W
Tamanho do SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Funcionalidade DevSlp (temporizador de modo de espera) Sim
Média de consumo energético (leitura) 4,3 W
Média de consumo energético (escrita) 4,2 W
Consumo de energia DevSlp (modo descanso) 5 mW

SSD Samsung 990 EVO PLUS 1TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Part number: MZ-V9S1T0BW EAN: 8806095575674

O Samsung 990 EVO Plus 1TB M.2 PCIe 4.0 NVMe V-NAND TLC é um SSD de elevada performance indicado para PCs exigentes, aliados a gaming, edição e uso profissional.

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